Patent Bilgi | Yıldız TTO

Yükleniyor...

Patent

US17771888

Yüksek kalitede hetero epitaksiyel monoklinik galyum oksit kristali büyütme metodu

Mülkiyet Patent

Ülke Kodu ABD PATENT OFİSİ

Başvuru No US17771888

Başvuru Tarihi 01.06.2021

Buluşçular

FATİH AKYOL

Portfolyoya dön