Patent Bilgi | Yıldız TTO

Yükleniyor...

Patent

CN202180006961.1

Yüksek kalitede hetero epitaksiyel monoklinik galyum oksit kristali büyütme metodu

Mülkiyet Patent

Ülke Kodu Çin Patent Ofisi

Başvuru No CN202180006961.1

Başvuru Tarihi 06.06.2021

Buluşçular

FATİH AKYOL

Portfolyoya dön